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2SC5171	文件：145.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.) •Complementaryto2SA1930	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5171	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5172	文件：166.87 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING, HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications High-SpeedDC-DCConverterApplications •Excellentswitchingtimes:tr=0.5μs(max), tf=0.3μs(max)atIC=2A •Highcollectorbreakdownvoltage:VCEO=400V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5172	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5173	文件：232.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS HIGHVOLTAGESWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS COLORTVHORIZONTALDRIVERAPPLICATIONS COLORTVCHROMAOUTPURAPPLICATIONS ●HighVoltage:V(BR)CEO=300V ●SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=3.0pF(Typ.) ●Collectormetal(Fin)isfullycoveredwithmoldresin. Collector-Base	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5174	文件：172.04 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS •HighTransitionFrequency:fT=100MHz(Typ.) •Complementaryto2SA1932	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5174	文件：278.65 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •SiliconNPNepitaxialtype •LowCollectorSaturationVoltage •Hightransitionfrequency •Complementaryto2SA1932 •GoodLinearityofhFE •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC5174	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5175	文件：143.69 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIHG CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High-CurrentSwitchingApplications •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max) (IC=2.5A,IB=125mA) •High-speedswitching:tstg=0.8µs(typ.) Collector-basevoltageVCBO60V Collector-emittervoltageVCEO50V Emitter-basevoltageVEBO5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5176	文件：223.36 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER APPLICATIONS) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS DC-DCCONVERTERAPPLICATION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5177	文件：56.93 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •LowCurrentConsumptionandHighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5177	文件：187.69 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •LowCurrentConsumptionandHighGain \|S21e\|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5178	文件：190.71 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178R	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178R-T1	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178R-T2	文件：205.16 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178-T1	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC5178-T1	文件：190.71 Kbytes Page：14 Pages	SILICON TRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5178-T2	文件：82.02 Kbytes Page：12 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain \|S21e\|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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晶体管资料

型号：
2SC5171
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3298A,2SC4159,2SC4883A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
180
htest：
200000000
atest：
2
wtest：
20

详细参数

型号：
2SC517
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans GP BJT NPN 180V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
功能描述：
Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市兴灿科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	23+	TO220F	5000	进口原装现货	询价
深圳市金嘉锐电子有限公司	2SC5171	TOSHIBA	2024+	TO-220F	32560	原装优势绝对有货	询价
深圳市益百分电子有限公司	2SC5171	蓝箭	TO220F	2000000	2012		询价
深圳市芯巴巴科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	18+	TO-220F	100	只做原装假一赔万	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	22+	TO-220F	6850	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
无锡固电半导体股份有限公司	2SC5171	isc	2024+	TO-220F	3000	国产品牌isc,质量等同原装	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	08PB		60000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	2sC5171	TOS	23+	TO220	8500	全新原装现货,公司只做原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SC5171	TOS	23+	TO-220	9526		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC5171	TOSHIBA	2017+	TO-220F	65895	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价

更多2SC517供应商更新时间2024-4-29 15:20:00

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