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2SC5086	文件：349.39 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：349.39 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086	文件：465.67 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：465.67 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086	文件：465.67 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：465.67 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086	文件：999 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications 文件：999 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086	文件：316.72 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise 文件：316.72 Kbytes 页数：7 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5086	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency bipolar transistor Application Scope：VHF/UHF band low noise amplifier\nPolarity：NPN\nNumber of Circuits：1\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.08 A \nCollector power dissipation PC 100 mW \nJunction temperature Tj 125 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 12 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5086FT	文件：81.79 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：81.79 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086FT-Y	文件：465.67 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：465.67 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086-Y	文件：465.67 Kbytes Page：7 Pages	VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 11dB (f = 1 GHz) 文件：465.67 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5086_07	文件：999 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications 文件：999 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC5086
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_甚高频（VHF）_超高频/特高频
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.08A
最大工作频率：
7GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
7000000000
atest：
0.08
wtest：
0

技术参数

application scope：
VHF/UHF band low noise amplifier
Number of Circuits：
1
VCEO (Max) (V)：
12
IC (Max) (A)：
0.08
fT (Typ.) (GHz)：
7
2 (Typ.) (dB)：
11
NF (Typ.) (dB)：
1.1
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SSM
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.7
Package Size(mm^2)：
2.56

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