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2SC506	文件：79.47 Kbytes Page：1 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors 文件：79.47 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC5060	文件：83.08 Kbytes Page：4 Pages	丝印：TV2；Package：ATV；Power transistor (90짹10, 3A) 2SD2396 - Low Frequency Transistor (60V, 3A) 2SC5060 - Power Transistor (90 ±10V, 3A) 文件：83.08 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC5063	文件：40.11 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Features ● High-speed switching ● High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) 文件：40.11 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC5063	文件：62.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching ■ Features ● High-speed switching ● High collector to base voltage VCBO ● Wide area of safe operation (ASO) ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, e 文件：62.46 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC5064	文件：345.87 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (WHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1dB, \|S21e\|2 = 12dB (f = 1 GHz) 文件：345.87 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5064	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5065	文件：346.15 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF to UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1 dB, \|S21e\|2 = 12 dB (f = 1 GHz) 文件：346.15 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5065	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5065	文件：458.28 Kbytes Page：7 Pages	VHF to UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF to UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1 dB, \|S21e\|2 = 12 dB (f = 1 GHz) 文件：458.28 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5065-Y	文件：458.28 Kbytes Page：7 Pages	VHF to UHF Band Low Noise Amplifier Applications VHF to UHF Band Low Noise Amplifier Applications • Low noise figure, high gain. • NF = 1.1 dB, \|S21e\|2 = 12 dB (f = 1 GHz) 文件：458.28 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC506
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
VIS
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF258,BF259,BF337,BF658,BFR58,BFR59,BFT48,2N5058,2N5059,3DG180E,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
200
htest：
60000000
atest：
0.2
wtest：
0.6

技术参数

application scope：
VHF/UHF band low noise amplifier
Number of Circuits：
1
VCEO (Max) (V)：
12
IC (Max) (A)：
0.03
fT (Typ.) (GHz)：
7
2 (Typ.) (dB)：
12
NF (Typ.) (dB)：
1.1
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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