2SC5010分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5010 |
| 参数属性 | 2SC5010 封装/外壳为SOT-523；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523 |
| 功能描述 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
241.06 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 | RENESAS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 21:28:00 |
| 人工找货 | 2SC5010价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5010规格书详情
DESCRIPTION
The 2SC5010 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (NEST3 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.
FEATURES
• Low Voltage Use.
• High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 3 mA, f = 2 GHz)
• High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.
产品属性
- 产品编号：
2SC5010-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB @ 2GHz
- 增益：
8.5dB
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
20+ |
SOT423 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
13359 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
SOT423 |
360000 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
NA |
990000 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT523 |
20000 |
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询价 | ||
RENESAS |
18+ |
SOT-423 |
4958 |
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RENESAS |
23+ |
NA |
885000 |
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询价 | ||
SOT-423 |
23+ |
NA |
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询价 | ||
CEL |
2012 |
1500 |
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询价 | |||
RENESAS |
23+ |
SOT-423 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 |
