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2SC5006分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC5006
厂商型号

2SC5006

参数属性

2SC5006 封装/外壳为SOT-523;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

封装外壳

SOT-523

文件大小

62.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 17:59:00

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2SC5006规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC5006 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.

FEATURES

• Low Voltage Use.

• High fT : 4.5 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

• Low Cre : 0.7 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)

• Low NF : 1.2 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

• High |S21e|2: 9 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)

• Ultra Super Mini Mold Package.

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5006-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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