2SC5006分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5006 |
| 参数属性 | 2SC5006 封装/外壳为SOT-523；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 |
| 功能描述 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
62.03 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NEC |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 22:58:00 |
| 人工找货 | 2SC5006价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SC5006三极管、2SC5006晶体管、2SC5006晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
3GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
20
- htest：
3000000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
2SC5006规格书详情
DESCRIPTION
The 2SC5006 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.
FEATURES
• Low Voltage Use.
• High fT : 4.5 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)
• Low Cre : 0.7 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.2 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)
• High |S21e|2: 9 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.
产品属性
- 产品编号：
2SC5006-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
4.5GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
- 增益：
9dB
- 功率 - 最大值：
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOT323 |
5500 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-3 |
20000 |
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NEC |
25+ |
SOT423 |
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23+ |
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SOT-523 |
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RENESAS |
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NEC |
2023+ |
SOT523 |
50000 |
原装现货 |
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NEC / RENESAS |
25+ |
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