2SC5007分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5007 |
参数属性 | 2SC5007 封装/外壳为SOT-523;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523 |
功能描述 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
封装外壳 | SOT-523 |
文件大小 |
1.58577 Mbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | California Eastern Labs |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Labs官网 |
原厂标识 | CEL |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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2SC5007规格书详情
2SC5007属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5007晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The NE68119 / 2SC5007 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface, process (NEST2 process) which is a proprietary fabrication technique.
FEATURES
• Low Voltage Use.
• High fT : 7.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)
• Low Cre : 0.45 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.4 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)
• High |S21e|2: 12 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.
产品属性
更多- 产品编号:
2SC5007-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.4dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-523
- 供应商器件封装:
SOT-523
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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