2SC5010分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5010 |
参数属性 | 2SC5010 封装/外壳为SOT-523;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523 |
功能描述 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD |
封装外壳 | SOT-523 |
文件大小 |
61.48 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
NEC【瑞萨】 |
中文名称 | 日本瑞萨电子株式会社官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
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2SC5010规格书详情
DESCRIPTION
The 2SC5010 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low noise and small signal amplifiers from VHF band to L band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (NEST3 process) which is an NEC proprietary fabrication technique.
FEATURES
• Low Voltage Use.
• High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Low Cre : 0.4 pF TYP. (@ VCE= 3 V, IE= 0, f = 1 MHz)
• Low NF : 1.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 3 mA, f = 2 GHz)
• High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE= 3 V, IC= 10 mA, f = 2 GHz)
• Ultra Super Mini Mold Package.
产品属性
- 产品编号:
2SC5010-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
12GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB @ 2GHz
- 增益:
8.5dB
- 功率 - 最大值:
125mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 10mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-523
- 供应商器件封装:
SOT-523
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
13359 |
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RENESAS |
18+ |
SOT-423 |
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NEC |
24+ |
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NEC |
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SOT-423 |
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NEC |
2023+ |
SOT423 |
50000 |
原装现货 |
询价 |