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2SC4935	文件：153.48 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • Good hFE linearity 文件：153.48 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4935	文件：120.31 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：120.31 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4935	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) . POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC4935_04	文件：120.31 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：120.31 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4935-Y,Q(J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SC4935
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3299,2SC3690,2SC3746,2SD1762,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
50
htest：
80000000
atest：
3
wtest：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC4935供应商更新时间2026-4-20 14:02:00

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