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2SC4935中文资料TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) . POWER AMPLIFIER APPLICATIONS数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

2SC4935

参数属性

2SC4935 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A TO220NIS

功能描述

TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) . POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2SC4935-Y,Q(J

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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