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2SC4881	文件：241.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High Switching Speed ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.4V(Max)@ (IC= 2.5A, IB= 125mA) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications. 文件：241.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4881	文件：125.76 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) ·High Switching Speed ·Low Collector Saturation Voltage-: VCE(sat)= 0.4V(Max)@ (IC= 2.5A, IB= 125mA) APPLICATIONS ·Designed for high current switching applications. 文件：125.76 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC4881	文件：264.4 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Low saturation voltage ·High speed switching time APPLICATIONS ·High current switching applications 文件：264.4 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4881	文件：161.44 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) High-Current Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (max) • High-speed switching: tstg= 0.8 µs (typ.) 文件：161.44 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4881	文件：128.59 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications 文件：128.59 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4881	文件：266.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：266.06 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4881	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS	NJS	NJS
2SC4881_04	文件：128.59 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications 文件：128.59 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4881(CANO,F,M)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 5A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4881,LS1SUMIF(M	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 5A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SC4881
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3299,2SC3746,2SC4549,2SC4596,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
5
wtest：
20

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@125mA@2.5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
20000mW
Maximum Transition Frequency：
100(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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