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2SC4783	文件：37.5 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC4783 is NPN silicon epitaxial transistor. FEATURES • High DC current gain: hFE2 = 200 TYP. • High voltage: VCEO = 50 V • Can be automatically mounted 文件：37.5 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC4783	文件：256.85 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC4783 is NPN silicon epitaxial transistor. FEATURES • High DC current gain: hFE2 = 200 TYP. • High voltage: VCEO = 50 V • Can be automatically mounted 文件：256.85 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4783	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC4783_15	文件：257.45 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：257.45 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4783-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANSISTOR NPN USM SC-75	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

晶体管资料

型号：
2SC4783
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4617,2SC4738,2SD2216,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
50
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
0.1
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
90
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.2
fT (GHz) typ.：
0.25
fT (MHz) typ.：
250
Cob (pF) typ.：
3
Package Type：
3pinUSM
Production Status：
Non-promotion

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