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2SC4738	文件：136 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：136 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SC4738F	文件：149.05 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO= 50 V, IC= 150 mA (max) Excellent hFElinearity: hFE(IC= 0.1 mA)/hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE: hFE= 120~400 Complementary to 2SA1832F Small package 文件：149.05 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4738F-GR	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO= 50 V, IC= 150 mA (max) Excellent hFElinearity: hFE(IC= 0.1 mA)/hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE: hFE= 120~400 Complementary to 2SA1832F Small package 文件：211.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4738FT	文件：145.1 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High Voltage: VCEO= 50 V High Current: IC= 150 mA (max) High hFE: hFE= 120 to 400 Excellent hFELinearity : hFE(IC= 0.1 mA)/hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (typ.) Complementary to 2SA1832FT 文件：145.1 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4738FT-GR	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High Voltage: VCEO= 50 V High Current: IC= 150 mA (max) High hFE: hFE= 120 to 400 Excellent hFELinearity : hFE(IC= 0.1 mA)/hFE(IC= 2 mA) = 0.95 (typ.) Complementary to 2SA1832FT 文件：211.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4738FV	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High Voltage: VCEO = 50 V • High Current: IC = 150 mA (max) • High hFE: hFE = 120 ~ 400 • Excellent hFE Linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • Complementary to 2SA1832FV 文件：211.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4738FV-Y	文件：211.4 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High Voltage: VCEO = 50 V • High Current: IC = 150 mA (max) • High hFE: hFE = 120 ~ 400 • Excellent hFE Linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • Complementary to 2SA1832FV 文件：211.4 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4739	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC4740	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC4741	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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晶体管资料

型号：
2SC4783
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4617,2SC4738,2SD2216,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
VCEO (V)：
50
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
0.1
VCE(sat) (V) max.：
0.3
hFE min.：
90
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.2
fT (GHz) typ.：
0.25
fT (MHz) typ.：
250
Cob (pF) typ.：
3
Package Type：
3pinUSM
Production Status：
Non-promotion

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC4783	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-523	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SC47供应商更新时间2026-4-21 14:00:00

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