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2SC461	文件：196.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Application • 2SC460 high frequency amplifier, mixer • 2SC461 VHF amplifier, mixer 文件：196.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC461	文件：192.33 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR 文件：192.33 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC461	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Amplifiers/Bipolar	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC461	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92	NJS 新泽西半导体	NJS
2SC4612	文件：120.73 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of MBIT process. • High breakdown voltage, large current capacity. • Fast switching speed. Applicaitons • Color TV sound output, converter, inverter. 文件：120.73 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4613	文件：131.48 Kbytes Page：4 Pages	160V/700mA Switching Applications 160V/700mA Switching Applications Features · Adoption of MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching speed. Applications · Color TV audio output, conveter, inverter. 文件：131.48 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4614	文件：116.25 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：116.25 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4614S-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4614T-AN	文件：609.89 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)160V, (-)1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of MBIT process • High breakdown voltage and large current capacity 文件：609.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC461
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调频（FM）_前置放大（V）_混频（M）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
230MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF241,BF255,BF314,BF455,BF495,BF502,BF505,3DG120C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
0
htest：
230000000
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.1@1mA@10mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
200mW
Maximum Transition Frequency：
230(Typ)MHz
Type：
NPN

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