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2SC4603	文件：780.32 Kbytes Page：12 Pages	Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor BIPOLAR TRANSISTOR 文件：780.32 Kbytes 页数：12 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SC4603R	文件：780.32 Kbytes Page：12 Pages	Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor BIPOLAR TRANSISTOR 文件：780.32 Kbytes 页数：12 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SC4603R	文件：252.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 800V(Min.) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Switching regulators • Ultrasonic generators • High frequency inverters • General purpose power amplifiers 文件：252.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4603R	文件：131.039 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 800V(Min.) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Switching regulators • Ultrasonic generators • High frequency inverters • General purpose power amplifiers 文件：131.039 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC4604	文件：166.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Application. Power Switching Applications. • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 1.5 A) • High-speed switching: tstg= 0.5 µs (typ.) • Complementary to 2SA1761 文件：166.51 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4605	文件：228.7 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (VIDEO OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) VIDEO OUTPUT FOR SUPER HIGH RESOLUTION DISPLAY HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Transition Frequency : fT = 1.1GHz (Typ.) Low Collector Output Capacitance : Cob = 4.8pF (Typ.) High Voltage : VCEO = 100V High Collector Power Dissipation Capability : PC = 10W 文件：228.7 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4606	文件：48.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency driver amplification Complementary to 2SC4606 ■ Features • High collector-emitter voltage (Base open) VCEO • Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 W to 30 W output amplifier 文件：48.29 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC4606	文件：48.5 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency driver amplification Complementary to 2SA1762 ■ Features ● High collector to emitter voltage VCEO. ● Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30W output amplifier. ● M type package allowing easy automatic and manual ins 文件：48.5 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SC460CTZ	文件：196.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Application • 2SC460 high frequency amplifier, mixer • 2SC461 VHF amplifier, mixer 文件：196.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4604	文件：122.53 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Application Power Switching Applications. 文件：122.53 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC460
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_前置放大（V）_混频（M）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
230MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF199,BF224,BF240,BF241,BF254,BF255,BF311,BF373,BF594,BF595,3DG120C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-39
vtest：
0
htest：
230000000
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.1@1mA@10mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
200mW
Maximum Transition Frequency：
230(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC460	日立	24+	TO-92	3000		询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SC460	HITACHI	24+	TO-92	65200	一级代理/放心采购	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC460	JXK/杰信科	23+	TO-92	999999	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市联世界科技有限公司	2SC4604(TPE6)	TOSHIBA	24+/25+		2000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC4604		24+	原厂封装	5620	原装现货假一罚十	询价
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深圳市利加科技有限公司	2SC4601	TOS	16+	TO-220F	10000	全新原装现货	询价
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