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2SC4520	文件：85.39 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. • Small-sized package. 文件：85.39 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4520	文件：57.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. • Small-sized package. 文件：57.36 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4521	文件：57.35 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features Adoption of FBET, MBIT process. Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. 文件：57.35 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4521	文件：83.17 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features · Adoption of FBET, MBIT process. · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Fast switching speed. · Small-sized package. 文件：83.17 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4522	文件：86.02 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. 文件：86.02 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4522	文件：45.27 Kbytes Page：2 Pages	High-Speed Switching Applications Features ● Large current capacity. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Fast switching speed. 文件：45.27 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4523	文件：45.01 Kbytes Page：2 Pages	High-Speed Switching Applications Features ● Large current capacity. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. ● Fast switching speed. 文件：45.01 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4523	文件：85.38 Kbytes Page：3 Pages	High-Speed Switching Applications High-Speed Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT process. • Large current capacity. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Fast switching speed. 文件：85.38 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4527	文件：173.19 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV TUNER, UHF OSCILLATOR, COVBERTER APPLICATIONS)(COMMON BASE) TV TUNER,UHF OSCILLATOR APPLICATIONS (COMMIN BASE) TV TUNER,UHF CONVERTER APPLICATIONS (COMMIN BASE) Transition Frequency is High and Dependent on Current Excellently Exchange of Emitter for Base in 2SC4246 文件：173.19 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4529	文件：280.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Epitaxial VHF Wide Brand Amplifier Silicon NPN Epitaxial VHF Wide Band Amplifier 文件：280.99 Kbytes 页数：3 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SC4529
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
宽频带放大（A）_甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
>1.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4200,2SC4271,
最大耗散功率：
5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
30
htest：
1500100000
atest：
0.3
wtest：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC452供应商更新时间2026-3-10 10:31:00

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