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2SC4489	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489	文件：123.74 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：123.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4489	文件：534.05 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：534.05 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4489	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Voltage Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489S-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489T-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor High breakdown voltage, large current capacity Bipolar Transistor (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single NMP Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage, large current capacity • Fast switching speed 文件：623.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489S-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：623.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489T-AN	文件：623.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：623.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489S-AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 100V 2A NMP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4489T-AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 100V 2A NMP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC4489
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3669,2SD2182,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
G-224
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
2
wtest：
1

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
400mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
140 @ 100mA，5V
功率 - 最大值：
1W
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SC-71
供应商器件封装：
3-NMP

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