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2SC4487	文件：123.44 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacity, wide ASO • Fast switching speed 文件：123.44 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
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2SC4487	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC4487S-AN	文件：623.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor 文件：623.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC4487S-AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 50V 0.3A NMP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC4487S-AN	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-71；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.3A 3NMP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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晶体管资料

型号：
2SC4487
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3668,2SD1347,2SD1864,2SD2177,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
G-224
vtest：
60
htest：
150000000
atest：
3
wtest：
1

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
140 @ 100mA，2V
功率 - 最大值：
1W
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SC-71
供应商器件封装：
3-NMP

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