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2SC4408	文件：166.3 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 1 A) • High collector power dissipation: PC= 900 mW • High-speed switching: tstg= 500 ns (typ.) • Complementary to 2SA1680 文件：166.3 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4408	文件：119.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications 文件：119.98 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4408	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC4408_07	文件：119.98 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications 文件：119.98 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多2SC4408供应商更新时间2026-4-17 14:30:00