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2SC4095分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC4095
厂商型号

2SC4095

参数属性

2SC4095 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

329.19 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 8:02:00

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2SC4095规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC4095 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. 2SC4095 features excellent power gain with very low-noise figures. 2SC4095 employs direct nitiride passivated base surface process (DNP process) which is an NEC proprietary new fabrication technique which provides excellent noise figures at high current values. This allows excellent associated gain and very wide dynamic range.

FEATURES

• NF = 1.8 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VCE = 6 V, IC = 5 mA

• |S21e|2 = 9.5 dB TYP. @ f = 2.0 GHz, VCE = 6 V, IC = 10 mA

产品属性

  • 产品编号:

    2SC4095-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    10GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB @ 2GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,6V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
18+
TO23-4
12500
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