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2SC4093分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC4093
厂商型号

2SC4093

参数属性

2SC4093 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

175.25 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 13:01:00

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2SC4093规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC4093 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.

It has large dynamic range and good current characteristics, and is contained in a 4-pin minimold package which enables high-isolation gain.

FEATURES

• Low Noise

NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

• High Power gain

|S21e|2 = 13 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

• Maximum available power gain: MAG = 14.2 dB TYP.

@ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz

• 4-pin minimold Package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC4093-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    14.2dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-143

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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