2SC4093分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC4093 |
| 参数属性 | 2SC4093 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
571.15 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 17:32:00 |
| 人工找货 | 2SC4093价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC4093规格书详情
2SC4093属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC4093晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The NE85639 / 2SC4093 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteristics, and is contained in a 4-pin minimold package which enables high-isolation gain.
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.1 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz
• High Power gain
|S21e|2 = 13 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
• Maximum available power gain: MAG = 14.2 dB TYP.
@ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz
• 4-pin minimold Package
产品属性
更多- 产品编号：
2SC4093-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
14.2dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
SOT-143
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
16+ |
SOT-143 |
10000 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
NA |
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20+ |
SOT143 |
49000 |
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PHI |
24+ |
TO-50 |
880000 |
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2024 |
SOT-143 |
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NEC |
23+ |
SOT143 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
PHI |
25+23+ |
TO-50 |
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RENESAS |
1742+ |
SOT143 |
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NEC |
23+ |
SOT-143 |
31000 |
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询价 | ||
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23+ |
NA |
20094 |
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