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2SC3906K	文件：59.94 Kbytes Page：1 Pages	High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S. 文件：59.94 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3906KFRA	文件：1.253 Mbytes Page：8 Pages	NPN 50mA 120V High Voltage Amplifier transistors Features 1) High Breakdown Voltage (VCEO=120V). 2) Complementary PNP Types : 2SA1579 (UMT3) / 2SA1514K (SMT3) 3) Complex transistors : IMX8 (SMT6) 4) Lead Free/RoHS Compliant. 文件：1.253 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3906KFRAT146R	文件：1.253 Mbytes Page：8 Pages	NPN 50mA 120V High Voltage Amplifier transistors Features 1) High Breakdown Voltage (VCEO=120V). 2) Complementary PNP Types : 2SA1579 (UMT3) / 2SA1514K (SMT3) 3) Complex transistors : IMX8 (SMT6) 4) Lead Free/RoHS Compliant. 文件：1.253 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3907	文件：48.79 Kbytes Page：1 Pages	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER • High Current Capability • High Power Dissipation • Complementary to 2SA1516 文件：48.79 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SC3902	文件：176.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：176.91 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3902	文件：66.58 Kbytes Page：5 Pages	160V / 1.5A Switching Applications 文件：66.58 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3902	文件：437.79 Kbytes Page：7 Pages	160V / 1.5A Switching Applications 文件：437.79 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3902S	文件：335.69 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：335.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3902T	文件：335.69 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：335.69 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3904SQ	文件：425.4 Kbytes Page：4 Pages	丝印：1E；Package：SOT-89；NPN Transistor 文件：425.4 Kbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI

晶体管资料

型号：
2SC3902
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3117,2SD669,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
180
htest：
120000000
atest：
1.5
wtest：
10

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
180V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.45@50mA@500mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
160V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
6V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Transition Frequency：
120(Typ)MHz
Type：
NPN

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