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2SC3835G	文件：298.73 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V (Min) ·Good Linearity of hFE APPLICATIONS ·Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications 文件：298.73 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3835Y	文件：204.41 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Switching Ttransistors DESCRIPTION The is an epitaxial pianar type NPN silicon transistor 文件：204.41 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SC3836	文件：28.66 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier, switching 文件：28.66 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC3837K	文件：128.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. 文件：128.82 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3837K	文件：75.61 Kbytes Page：4 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz) Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. 文件：75.61 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3837K	文件：41.81 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) ● Small rbb.Cc and high gain. (Typ. 6ps) 文件：41.81 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3837KT146N	文件：128.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. 文件：128.82 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3837KT146P	文件：128.82 Kbytes Page：5 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor (20V, 50mA, 1.5GHz) Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Ccand high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. 文件：128.82 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3838	文件：102.49 Kbytes Page：2 Pages	High Current-Gain Bandwidth Product DESCRIPTION • Low Noise NF = 3.5 dB TYP. @VCE = 6 V, IC = 2 mA, f = 500 MHz • High Current-Gain Bandwidth Product fT = 3.2 GHz TYP. @VCE = 10 V, IC = 10 mA, f = 500 MHz APPLICATIONS • Designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF ~ UHF band. 文件：102.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3838	文件：865.63 Kbytes Page：3 Pages	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon P/b Lead(Pb)-Free 文件：865.63 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON

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晶体管资料

型号：
2SC383
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFW64,BFX94A,BFX5A,BSW63,BSW84,BSW85,2N2220A,2N2221A,2N2222A,3DG170C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
75
htest：
300000100
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
600V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.5@0.4A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
500V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
50000mW
Maximum Transition Frequency：
8(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市粤科源兴科技有限公司	2SC3838KT146Q	ROHM	13+	SMT3(SOT346)	40238	原装分销	询价
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