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2SC3798	文件：244.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=800V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Designedforhighspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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2SC3798

文件：244.82 Kbytes

Page：2 Pages

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •Collector-BaseBreakdownVoltage-:V(BR)CBO=800V(Min.) •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching APPLICATIONS •Designedforhighspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

晶体管资料

型号：
2SC3798
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW11(A)F,2SC3765,2SC3947,2SC4300,2SC4457,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
800
htest：
999900
atest：
5
wtest：
70

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更多2SC3798供应商更新时间2024-5-4 16:00:00

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