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2SC3725_2014

Silicon NPN Power Transistors

文件:157.32 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2SC3728

FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

文件:70.9 Kbytes 页数:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC372-Y

SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR (PCT PROCESS)

文件:166.92 Kbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC3722K

General Purpose Amplification Transistor

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。

ROHM

罗姆

2SC3725

Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

NJS

NJS

2SC3728

FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

IDC

IDC

晶体管资料

  • 型号:

    2SC372

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)_低噪放大 (ra)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    35V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.25W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    35

  • htest:

    200000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.25

技术参数

  • 封装:

    SMT3

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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