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2SC3583	文件：103.74 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitri 文件：103.74 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3583	文件：1.05755 Mbytes Page：5 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION The NE68133 / 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Low-noise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by dir 文件：1.05755 Mbytes 页数：5 Pages	CEL	CEL
2SC3583	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Lownoise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride 文件：321.32 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3583	文件：300.22 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise and High Gain DESCRIPTION • Low Noise Figure, High Gain, and High Current Capability Achieve a Very Wide Dynamic Range and Excellent Linearity. • Low Noise and High Gain NF = 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz Ga = 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz APPLICATIONS • Designed for use in low-noise and small signal amplifi 文件：300.22 Kbytes 页数：6 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3583	文件：40.19 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz ● Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz 文件：40.19 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Tranasitor The UTC 2SC3853 is an NPN epitaxial transistor; it uses UTC’sadvanced technology to provide the customers with high current gainand high current capability, etc. High current gain High current capability;	UTC 友顺	UTC
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Silicon Bipolars NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor (Same as NE68133)	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC3583	文件：300 bytes Page：1 Pages	高频三极管	MXTronics 时代民芯	MXTronics
2SC3583_15	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR 文件：321.32 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC3583-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3	CEL	CEL

晶体管资料

型号：
2SC3583
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.065A
最大工作频率：
9GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3606,2SC3730,2SC3904,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.065
wtest：
0.6

技术参数

VCEO(V)：
10
ICM(mA)：
35
PT(W)：
0.15
2(dB)：
13
NF(dB)：
1.2
GUM(dB)：
14
@Vce(V)：
3
@Ic(mA)：
5
@fT(GHz)：
0.9
Package：
SOT323
兼容型号：
2SC4228

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3583供应商更新时间2026-1-17 10:50:00

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