2SC3583规格书应用电路供应代理科信电子-114ic电子网

首页 >2SC3583>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
2SC3583	文件：103.74 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC3583isanNPNepitaxialsilicontransistordesignedforuseinlow-noiseandsmallsignalamplifiersfromVHFbandtoUHFband.Lownoisefigure,highgain,andhighcurrentcapabilityachieveaverywide dynamicrangeandexcellentlinearity.Thisisachievedbydirectnitri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC3583	文件：40.19 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ●NF1.2dBTYP.@f=1.0GHz ●Ga13dBTYP.@f=1.0GHz	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC3583	文件：300.22 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise and High Gain DESCRIPTION •LowNoiseFigure,HighGain,andHighCurrentCapabilityAchieveaVeryWideDynamicRangeandExcellentLinearity. •LowNoiseandHighGain NF=1.2dBTYP.@f=1.0GHz Ga=13dBTYP.@f=1.0GHz APPLICATIONS •Designedforuseinlow-noiseandsmallsignalamplifi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC3583	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC3583isanNPNepitaxialsilicontransistordesignedforuseinlow-noiseandsmallsignalamplifiersfromVHFbandtoUHFband.Lownoisefigure,highgain,andhighcurrentcapabilityachieveaverywidedynamicrangeandexcellentlinearity.Thisisachievedbydirectnitride	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3583	文件：1.05755 Mbytes Page：5 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION TheNE68133/2SC3583isanNPNepitaxialsilicontransistordesignedforuseinlow-noiseandsmallsignalamplifiersfromVHFbandtoUHFband.Low-noisefigure,highgain,andhighcurrentcapabilityachieveaverywidedynamicrangeandexcellentlinearity.Thisisachievedbydir	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2SC3583_15	文件：321.32 Kbytes Page：10 Pages	SILICON TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC3583-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23-3	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2SC3583-T1B-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23	CEL California Eastern Laboratories	CEL

晶体管资料

型号：
2SC3583
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.065A
最大工作频率：
9GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3606,2SC3730,2SC3904,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
.065
wtest：
.6

详细参数

型号：
2SC3583
制造商：
NEC
功能描述：
*
功能描述：
Transistor 3k per reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	2SC3583	RENESAS/瑞萨		SOT23	7906200		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SC3583	NEC	2008++	SOT-23	8041	新进库存/原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC3583	NEC	2017+	SOT-23SC-59	56787	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC3583		16+	SOT23	1000	原装现货假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	2SC3583	NEC	23+	SOT-23	9980	价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	2SC3583	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	2SC3583	NEC	19+	SOT-23	59279	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SC3583	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	2SC3583		23+	N/A	48800	正品授权货源可靠	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	2SC3583	NEC	23+	SOT-23	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价

更多2SC3583供应商更新时间2024-4-29 16:18:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号