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2SC3458	文件：91.55 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulators 800V/3A Switching Regulator Applications Features · High breakdown voltage and high reliability. · Fast switching speed (tf : 0.1µs typ). · Wide ASO. · Adoption of MBIT process. 文件：91.55 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3458	文件：200.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage and high reliability. ·Fast switching speed ·Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A Switching Regulator Applications 文件：200.86 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3458	文件：231.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage and high reliability. ·Fast switching speed ·Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A Switching Regulator Applications 文件：231.29 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3458	文件：212.4 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High breakdown voltage and high reliability. ·Fast switching speed ·Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A Switching Regulator Applications 文件：212.4 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3458	文件：214.09 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：214.09 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3458	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SC3458	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor 800V/3A Switching Regulator Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3458_15	文件：231.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：231.29 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3458_2014	文件：231.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：231.29 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SC3458
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3387,2SC3642,2SC3845,2SC3980,2SD1430,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-11
vtest：
1100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
80

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
1100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
2@0.3A@1.5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
800V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
80000mW
Maximum Transition Frequency：
15(Typ)MHz
Type：
NPN

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