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2SC3356DW	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SC3356DWE-S	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SC3356F	文件：349.79 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • Low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. • Low Noise and High Gain • High Power Gain 文件：349.79 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC3356R-G	文件：134.19 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor Features - Low noise and high gain. - High power gain. - Designed for low noise amplifier. 文件：134.19 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
2SC3356W	文件：164.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low noise and high gain: NF=1.1dB TYP, Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ● High power gain:MAG=13dB TYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ● NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. 文件：164.95 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN*2
V(BR)CEO(V)min.：
12
IC(A)：
0.1
hFEmin.：
50
hFEmax.：
300
VCE (sat)(V)：
0.5
IB(mA)：
4
fT(MHz)min.：
7000(typ)
PD(W)max.：
0.25
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC3356DW供应商更新时间2026-10-23 11:02:00

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