2SC3332R资料使用说明书库存现货ONSEMI-114ic电子网

首页 >2SC333>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SC3330	文件：144.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors AF Amp Applications Use • Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features • Large current capacity and wide ASO. 文件：144.29 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3330	文件：583.49 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Large Current Capacity and Wide ASO 文件：583.49 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC3330M	文件：830.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Large current capacity and wide AOS. Applications Capable of being used in the low frequency to high frequency range. 文件：830.27 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3331	文件：451.46 Kbytes Page：5 Pages	AF Amp Applications AF Amp Applications Use • Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features • Large current capacity and wide ASO. 文件：451.46 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3332	文件：101.92 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features · Hgih breakdown voltage. · Excellent hFE linearity. · Wide ASO and highly resistant to breakdown. · Adoption of MBIT process. 文件：101.92 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332R	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332S	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SC3332R
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
3-NP
描述：
TRANS NPN 160V 0.7A 3NP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	2SC3332R	SANYO/三洋	18+	TO92	12500	全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配	询价
深圳市纳立科技有限公司	2SC3332R		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SC3332R	ON Semiconductor	2022+	3-NP	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC3332R	onsemi	25+	TO-226-3 TO-92-3 标准主体(!-	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市华来深电子有限公司	2SC3332S	ON	23+	TO-251	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SC3332S	ON	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SC3332S	ON	1731+	TO-92	4000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	2SC3332S	ON	23+	TO-92	4000	正规渠道,只有原装!	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	2SC3332S	ON	2023+	TO-92	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC3332S	ON	22+	TO-92	20000	公司只有原装品质保证	询价

更多2SC333供应商更新时间2025-12-19 17:37:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号