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2SC3330	文件：144.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors AFAmpApplications Use •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. Features •LargecurrentcapacityandwideASO.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3330	文件：583.49 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LargeCurrentCapacityandWideASO	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC3330M	文件：830.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LargecurrentcapacityandwideAOS. Applications Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC3331	文件：451.46 Kbytes Page：5 Pages	AF Amp Applications AFAmpApplications Use •Capableofbeingusedinthelowfrequencytohighfrequencyrange. Features •LargecurrentcapacityandwideASO.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3332	文件：101.92 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications High-VoltageSwitchingApplications Features ·Hgihbreakdownvoltage. ·ExcellenthFElinearity. ·WideASOandhighlyresistanttobreakdown. ·AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3332R	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC3332S	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC3332S-AA	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SC3332T	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features •Hgihbreakdownvoltage •ExcellenthFElinearity •WideSOAandhighlyresistanttobreakdown •AdoptionofMBITprocess	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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晶体管资料

型号：
2SC3330
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC182,BC190,BC546,2SC1740S,2SC2458,2SC2603,2SC2785,2SC3311,3DG120C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
200000000
atest：
.2
wtest：
.3

详细参数

型号：
2SC333
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC333供应商更新时间2024-5-1 9:30:00

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