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2SC3330	文件：144.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors AF Amp Applications Use • Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features • Large current capacity and wide ASO. 文件：144.29 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3330	文件：583.49 Kbytes Page：3 Pages	TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Large Current Capacity and Wide ASO 文件：583.49 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC3330M	文件：830.27 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Large current capacity and wide AOS. Applications Capable of being used in the low frequency to high frequency range. 文件：830.27 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3331	文件：451.46 Kbytes Page：5 Pages	AF Amp Applications AF Amp Applications Use • Capable of being used in the low frequency to high frequency range. Features • Large current capacity and wide ASO. 文件：451.46 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3332	文件：101.92 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features · Hgih breakdown voltage. · Excellent hFE linearity. · Wide ASO and highly resistant to breakdown. · Adoption of MBIT process. 文件：101.92 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332R	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC3332S	文件：79.63 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCE(sat) NPN Single NP Features • Hgih breakdown voltage • Excellent hFE linearity • Wide SOA and highly resistant to breakdown • Adoption of MBIT process 文件：79.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC3332
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2383,2SC4612,2SD1526,3DA88C,
最大耗散功率：
0.7W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
180
htest：
120000000
atest：
0.7
wtest：
0.7

详细参数

型号：
2SC333
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
High-Voltage Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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