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2SC3300	文件：238.9 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS • Designed for DC-DC converter, emergency lighting inverter and general purpose applications 文件：238.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3300	文件：132.24 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Low saturation voltage ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·Power and general purpose application 文件：132.24 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3301	文件：138.97 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES . NF=1.7dB, lS21el 2=14.5dB (f=500MHz) . NF=2.3dB, lS21el 2=9dB (f=1000MHz) 文件：138.97 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3302	文件：73.84 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR 3SK121 datasheet pdf 文件：73.84 Kbytes 页数：1 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3302	文件：1.63703 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：1.63703 Mbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3303	文件：197.01 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCING APPLICATIONS) High Current Switching Applications DC-DC Converter Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (max) (IC= 3 A) • High speed switching time: tstg= 1.0 µs (typ.) 文件：197.01 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3303	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：C3303；Package：SC-75；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3303	文件：83.18 Kbytes Page：1 Pages	5A , 100V NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES • Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage • Excllent Linearity of hFE • High fT • Fast Switching Time 文件：83.18 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC3303-O	文件：83.18 Kbytes Page：1 Pages	5A , 100V NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES • Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage • Excllent Linearity of hFE • High fT • Fast Switching Time 文件：83.18 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC3303-Y	文件：83.18 Kbytes Page：1 Pages	5A , 100V NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor FEATURES • Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage • Excllent Linearity of hFE • High fT • Fast Switching Time 文件：83.18 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SC3306
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13(A),2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365,2SC3842,3DK308C,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
500
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

技术参数

VCBO(V)：
500
VCEO(V)：
400
PD(W)：
100
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
2SC3306
HFE(Min/Max)：
10
IC/VCE(A/V)：
5.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
1.0
IC / IB(A/mA)：
5.0/1A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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