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2SC3279	文件：163.11 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBO FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications • High DC current gain and excellent hFElinearity : hFE (1)= 140~600 (VCE= 1 V, IC= 0.5 A) : hFE (2)= 70 (min), 200 (typ.) (VCE= 1 V, IC= 2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.5 V (max) (IC= 2 A, IB= 50 文件：163.11 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3279	文件：312.51 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC current gain and excellent hFElinearity. Low saturation voltage. 文件：312.51 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC3279-L	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant 文件：266.58 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC3279-M	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant 文件：266.58 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC3279-N	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant 文件：266.58 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC3279-P	文件：266.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistors Features • High DC Current Gain and excellent hFELinearity hFE(1)=140-600 (VCE=1.0V, IC=0.5A) hFE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (VCE=1.0V, IC=2.0A) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Lead Free Finish/RoHS Compliant 文件：266.58 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC3271	文件：218.89 Kbytes Page：3 Pages	Triple Diffused Planar NPN Silicon Transistor 文件：218.89 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC3272	文件：101.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：101.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3277	文件：135.28 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：135.28 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3277	文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：211.28 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SC3279
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
MPS650,2SC3205,2SC3226,2SD965,2SD1207,2SD1246,2SD1513,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
2
wtest：
0.75

技术参数

PCM(W)：
0.75
IC(A)：
2
VCBO(V)：
30
VCEO(V)：
10
VEBO(V)：
6
hFEMin：
140
hFEMax：
600
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.82
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
TO-92

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