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2SC3229	文件：81.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High voltage: VCEO=300V(min) APPLICATIONS ·For color TV chroma output applications 文件：81.82 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3229	文件：203.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High voltage: VCEO=300V(min) APPLICATIONS ·For color TV chroma output applications 文件：203.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3230	文件：95.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SA1276 • Good linearity of hFE APPLICATIONS • General purpose applications • Cordless telephone tx final amplifier application for 1.7MHz system 文件：95.04 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3230	文件：126.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= 30V(Min) • Good Linearity of hFE • Complement to Type 2SA1276 APPLICATIONS • Designed for general purpose applications. 文件：126.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3230	文件：64.459 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to type 2SA1276 • Good linearity of hFE APPLICATIONS • General purpose applications • Cordless telephone tx final amplifier application for 1.7MHz system 文件：64.459 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3231	文件：56.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Wide area of safe operation APPLICATIONS • Switching regulators • General purpose power amplifiers • TV horizontal output applications 文件：56.62 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3231	文件：124.42 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakddown Voltage : V(BR)CEO= 60V(Min) • Large Current Capability • High Collector PowerDissipation APPLICATIONS • Designedfor B/W TV horizontal deflection output applications 文件：124.42 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3231	文件：89.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Wide area of safe operation APPLICATIONS • Switching regulators • General purpose power amplifiers • TV horizontal output applications 文件：89.63 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3233	文件：294.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：294.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3233	文件：275.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= 0.1A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：275.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SC3241
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
18A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
MRF421,MRF454,2SC1764,3DA7B,
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
50
htest：
30000000
atest：
18
wtest：
85

详细参数

型号：
2SC32
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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