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2SC3209	文件：167.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3209 is designed for use in TV chroma output circuits and TV horizontal deflection ouptut circuits. 文件：167.42 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3210	文件：75.1 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type High Breakdown Voltage, High Speed Switching 文件：75.1 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC3210	文件：134.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3210	文件：157.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：157.76 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3210	文件：131.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emiiter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 400V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)@lc-5A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for high speed switching applications. 文件：131.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3210	文件：117.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：117.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3211	文件：116.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：116.76 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3211	文件：132.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emiiter Sustaining Voltage- : VCEo(sus)= 500V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage : VcE(Mt)=1.0V(Max.)@lc=3A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for high speed switching applications. 文件：132.12 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3211	文件：83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3211A	文件：83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
2SC32
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市旺财半导体有限公司	2SC3241	MITSUBISHI/三菱	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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更多2SC32供应商更新时间2025-11-7 16:04:00

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