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2SC3209	文件：167.42 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3209 is designed for use in TV chroma output circuits and TV horizontal deflection ouptut circuits. 文件：167.42 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC3210	文件：75.1 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type High Breakdown Voltage, High Speed Switching 文件：75.1 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC3210	文件：134.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：134.72 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3210	文件：157.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：157.76 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3210	文件：131.61 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emiiter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 400V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)@lc-5A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for high speed switching applications. 文件：131.61 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3210	文件：117.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Low collector saturation voltage • High breakdown voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：117.81 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3211	文件：116.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：116.76 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3211	文件：132.12 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emiiter Sustaining Voltage- : VCEo(sus)= 500V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage : VcE(Mt)=1.0V(Max.)@lc=3A • High Speed Switching APPLICATIONS • Designed for high speed switching applications. 文件：132.12 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3211	文件：83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3211A	文件：83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High VCBO • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For high speed switching applications 文件：83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SC3241
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
18A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
MRF421,MRF454,2SC1764,3DA7B,
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
50
htest：
30000000
atest：
18
wtest：
85

详细参数

型号：
2SC32
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

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