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2SC2812	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	2SA1179 PNP/NPN Transistor Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • Miniature package facilitates miniaturization in end products. • High breakdown voltage. 文件：169.43 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC2812	文件：326.76 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO= 50V(Min.) ·High Reliability ·Low Collector Saturation Voltage ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions ·High voltage ignition coil drive 文件：326.76 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2812	文件：981.22 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package 文件：981.22 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC2812	文件：1.27636 Mbytes Page：3 Pages	丝印：L6；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.27636 Mbytes 页数：3 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SC2812	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
2SC2812N	文件：41.88 Kbytes Page：3 Pages	2SA1179N PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Miniature package facilitates miniaturization in end products • High breakdown voltage 文件：41.88 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC2812_08	文件：58.61 Kbytes Page：5 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications 文件：58.61 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC2812N	文件：40.67 Kbytes Page：4 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amp Applications 文件：40.67 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC2812N	文件：433.33 Kbytes Page：7 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amp Applications 文件：433.33 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC2812N6-CPA-TB-E	文件：418.37 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor 文件：418.37 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC2812
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_UI
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
55V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BC847,BCW65,BCW71,BCW72,BCW81,BCX19,3DG130C,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
55
htest：
100000000
atest：
0.15
wtest：
0

技术参数

PC：
200 (mW)
IC：
150 (mA)
VCBO：
55 (V)
VCEO：
50 (V)
VEBO：
5 (V)
VCE(sat)：
0.5 (V) 50 IC(mA) 5 IB(mA)
hFE：
6 VCE (V) 1 IC(mA) 90 MIN. 600 MAX.
fT：
100* (MHz)
封装：
SOT-23 Package

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