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2SC2716	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2716	文件：207.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain- : Gp≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for RF power amplifier applications. 文件：207.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2716	文件：36.56 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz). 文件：36.56 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC2716	文件：207.83 Kbytes Page：4 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications • Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) 文件：207.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2716	文件：607.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 文件：607.8 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2716	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans RF BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin S-Mini	NJS	NJS
2SC2716_07	文件：607.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 文件：607.8 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC2716
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_射频/高频放大（HF）_低频或音
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC846,BC847,BC848,BCW31,BCW32,BCW33,BF554,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
35
htest：
120000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current Range：
0.06 to 0.12A
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Collector Emitter Voltage Range：
30 to 40V
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@1mA@10mAV
Maximum Collector Cut-Off Current：
100nA
Maximum Collector Base Voltage：
35V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
1@1mA@10mAV

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