2SC2716资料datasheet下载供应价格东芝-114ic电子网

首页 >2SC2716>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
2SC2716	文件：36.56 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features •Lownoisefigure:NF=3.5dB(max)(f=1MHz).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SC2716	文件：207.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighPowerGain- :Gp≥12dB,f=27MHz,PO=16W ·HighReliability APPLICATIONS ·DesignedforRFpoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC2716	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC2716	文件：207.83 Kbytes Page：4 Pages	HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS HighFrequencyAmplifierApplications AMHighFrequencyAmplifierApplications AMFrequencyConverterApplications •Lownoisefigure:NF=3.5dB(max)(f=1MHz)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC2716	文件：607.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC2716_07	文件：607.8 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

更多2SC2716供应商更新时间2024-4-27 16:18:00