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2SC2715	文件：1.11575 Mbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High Power Gain • Recommended for FM IF,OSC Stage and AM CONV. IF Stage. 文件：1.11575 Mbytes 页数：4 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC2715	文件：153.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：153.37 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC2715	文件：972.72 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 文件：972.72 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2715	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	GreenPower 格瑞宝	GreenPower
2SC2715	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST
2SC2715	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SC2715M	文件：129.65 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION NPN Epitaxial planar Silicon Transistor FEATURES High power gain: Gpe=27dB(f=10.7MHz) Recommended for FM IF,OSC Stage and AM CONV.IF Stage APPLICATION High Frequency amplifier For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,DVD-ROM, Note book PC, etc.) 文件：129.65 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC2715_07	文件：972.72 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 文件：972.72 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2715_13	文件：153.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：153.37 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SC2715_15	文件：913.49 Kbytes Page：4 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：913.49 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SC2715
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF554,BFS18,BFS19,BF840,BF841,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
35
htest：
100000100
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.35
IC(A)：
0.05
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
4
hFEMin：
40
hFEMax：
240
hFE@VCE(V)：
12
hFE@IC(A)：
0.002
VCE(sat)(V)：
0.4
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.01
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.001
Package：
SOT-23

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