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2SC2669

TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)

High Frequency Amplifier Applications • High power gain: Gpe = 30dB (typ.) (f = 10.7 MHz) • Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV, IF stage.

文件:336.29 Kbytes 页数:6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC2669

Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) High Frequency Amplifier Applications

Toshiba

东芝

2SC2669

Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin Mini

NJS

NJS

2SC2705

TO-92L

东芝

2SC2712G-G

SOT-23

UTC/友顺

晶体管资料

  • 型号:

    2SC2669

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    调幅 (AM)_调频 (FM)_中频放大 (ZF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    35V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF240,BF241,BF254,BF255,BF494,BF594,BF595,3DG112C,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    35

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.2

技术参数

  • Maximum Transition Frequency:

    100(Min)MHz

  • Maximum Power Dissipation:

    200mW

  • Maximum Operating Temperature:

    125°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    4V

  • Maximum DC Collector Current:

    0.05A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    30V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    0.4@1mA@10mAV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    35V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Small Signal

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更多2SC2669供应商 更新时间2026-1-17 10:50:00