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2SC2655	文件：139.74 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(SAT)=0.5V(Max.) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(Typ.)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：179.48 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：149.63 Kbytes Page：5 Pages	PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SA1020.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：1.56524 Mbytes Page：5 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) Complementaryto2SA1020	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2655	文件：6.49885 Mbytes Page：126 Pages	COLOURTELEVISIONC9PJChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2655	文件：2.69679 Mbytes Page：54 Pages	COLORTELEVISIONN1PSChassis	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SC2655L-O	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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