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2SC2655L	文件：622.41 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：622.41 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
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2SC2655L-X-T9N-B	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: tstg=1.0μs (Typ.) 文件：61.58 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC2655L-X-T9N-K	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: tstg=1.0μs (Typ.) 文件：61.58 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC2655L-X-T9N-R	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: tstg=1.0μs (Typ.) 文件：61.58 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC2655L-Y-T9N-B	文件：61.58 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: tstg=1.0μs (Typ.) 文件：61.58 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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技术参数

Type：
NPN
PD (mW)：
900
VCBO (V)：
50
VCEO (V)：
50
IC (mA)：
2000
hFE_Min/Max：
70/240
hFE_IC(mA)/VCE(V)：
500/2
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)_IC/IB(mA)：
1000/50
fT (MHz)：
100
Package：
TO-92L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC2655L供应商更新时间2024-8-12 14:51:00

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