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2SC2655M	文件：1.56524 Mbytes Page：5 Pages	TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) Complementaryto2SA1020	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC2655	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:900mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC2655	文件：1.43171 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highspeedswitchingtime,complementaryto2SA1020. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2655	文件：277.17 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●Highspeedswitchingtime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SC2655	文件：259.7 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：255.22 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowTransistor DESCRIPTION •SiliconNPNepitaxialtype •Lowsaturationvoltage •Complementaryto2SA1020 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Powerswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC2655	文件：3.69215 Mbytes Page：5 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1μs(Typ.) ●Complementaryto2SA1020	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC2655	文件：217.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES -Lowsaturationvoltage：VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) -Highspeedswitchingtime：tstg=1μs(Typ.) -Complementaryto2SA1020	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2655	文件：210.83 Kbytes Page：4 Pages	POWERAMPLIFIERAPPLICATIONSPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC2655	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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