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2SC2612	文件：39.65 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage, high speed and high power switching 文件：39.65 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC2612	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2612	文件：164.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：164.52 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2612	文件：129.789 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCECHSUSP 400V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed and high power switching applications. 文件：129.789 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2612	文件：135.26 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：135.26 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2612	文件：136.92 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：136.92 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2612	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused	HITACHI 日立	HITACHI
2SC2612	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SC2612	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SC2612
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT93,TIP75C,2SC2335,2SC2427,2SC2502,2SC2518,2SC2826,2SC3038,3DK305C,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
500
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

技术参数

VCEO (V)：
400
Production Status：
EOL announced

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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