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2SC2610	文件：29.61 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application • High voltage amplifier • TV Video output 文件：29.61 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC2611	文件：30.2 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage amplifier TV VIDEO output 文件：30.2 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC2612	文件：39.65 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage, high speed and high power switching 文件：39.65 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SC2612	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC2612	文件：164.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：164.52 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2612	文件：129.789 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCECHSUSP 400V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed and high power switching applications. 文件：129.789 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2612	文件：135.26 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：135.26 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2613	文件：127.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：127.71 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2613	文件：130.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) • Good Linearity of hFe • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed and high power switching applications. 文件：130.46 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2613	文件：157.81 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) APPLICATIONS • For high voltage ,high speed and high power switching applications 文件：157.81 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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标准国际(香港)有限公司	2SC2611		25+		5	公司现货库存	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2SC2611		25+		5	公司现货库存	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SC2611	HIT	23+	TO-126-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市联世界科技有限公司	2SC2611	HITACHI	24+/25+		950	原装正品现货库存价优	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SC2611	HIT	25+	TO-126	1400	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市弘为电子有限公司	2SC2611	HIT	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
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