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2SC2551	文件：220.91 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (HIGHT VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER, CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL APPLICATIONS) Hight Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode Ray Tube Brightness Control Applications • High voltage: VCBO = 300 V, VCEO = 300 V • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) • Small collector output capacitance: Cob = 3 pF (typ.) • Complement 文件：220.91 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC2551	文件：315.83 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO=300V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 0.5V(Max) @IC= 20mA APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications. 文件：315.83 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2551	文件：425.3 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High voltage ● Low saturation voltage ● Small collector output capacitance ● Complementary to 2SA1091 文件：425.3 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC2551	文件：1.34253 Mbytes Page：4 Pages	丝印：C2551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage Low saturation voltage Small collector output capacitance Complementary to 2SA1091 文件：1.34253 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2551	文件：772.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES • High Voltage • Low Saturation Voltage • Small Collector Output Capacitance • Complementary to 2SA1091 文件：772.58 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC2551-TA	文件：1.34253 Mbytes Page：4 Pages	丝印：C2551；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage Low saturation voltage Small collector output capacitance Complementary to 2SA1091 文件：1.34253 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC2552	文件：150.72 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High collector breakdown voltage : VCEO=400V(Min) • Excellent switching time : tr=1.0µs(Max.) : tf=1.0µs(Max.@IC=0.8A APPLICATIONS • Switching regulator and high voltage switching applications • High speed DC-DC converter applications 文件：150.72 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC2552	文件：127.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • Fast Switching Speed APPLICATIONS • Switching regulator and high voltage switching applications. • High speed DC-DC converter applications. 文件：127.32 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC2552	文件：247.09 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 400V(Min) • Fast Switching Speed APPLICATIONS • Switching regulator and high voltage switching applications. • High speed DC-DC converter applications. 文件：247.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC2552	文件：163.95 Kbytes Page：2 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) SWITCHING REGULATOR AND HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATIONS. 文件：163.95 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC2555
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU426(A),BU926,TIP58A,2SC2749,2SC2841,2SC3040,2SC3365,2SC3842,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
500
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

技术参数

VCBO(V)：
500
VCEO(V)：
400
PD(W)：
80
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
2SC2555
HFE(Min/Max)：
15
IC/VCE(A/V)：
1.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
1.0
IC / IB(A/mA)：
4.0/800

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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