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2SC1904	文件：113.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA899 APPLICATIONS ·For high frequency power amplification 文件：113.52 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1904	文件：108.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SA899 APPLICATIONS ·For high frequency power amplification 文件：108.46 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1905	文件：129.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage • Large collector power dissipation APPLICATIONS • Color TV horizontal deflection driver 文件：129.81 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1905	文件：152.81 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage • Large collector power dissipation APPLICATIONS • Color TV horizontal deflection driver 文件：152.81 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC1905	文件：89.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage • Large collector power dissipation APPLICATIONS • Color TV horizontal deflection driver 文件：89.74 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC1906	文件：182.79 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·Low Noise ·High Gain Bandwidth Product APPLICATIONS ·Designed for use in VHF amplifier,mixer and local oscillator. 文件：182.79 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1906	文件：45.04 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Application • VHF amplifier • Mixer, Local oscillator 文件：45.04 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC1906	文件：83.22 Kbytes Page：1 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ● High Transition Frequency APPLICATIONS ● VHF Amplifier ● Mixer, Local Oscillator 文件：83.22 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1907	文件：39.98 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Silicon NPN Epitaxial Planar Application UHF TV Tuner, Local oscillator 文件：39.98 Kbytes 页数：7 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC1907	文件：158.35 Kbytes Page：4 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Noise • High Gain Bandwidth Product APPLICATIONS • Designed for VHF TV tuner and local oscillator applications. 文件：158.35 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum Transition Frequency：
1000(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
300mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
2V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
19V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@4mA@20mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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