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2SC1815-O	文件：305.12 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2SC1815 Series are silicon NPN transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for general purpose amplifier applications. 文件：305.12 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central
2SC1815-O	文件：389.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF Amplifier and General Purpose Applications. • Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. • Collector-current 0.15A • Collector-base Voltage 60V • Marking : 文件：389.15 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1815-O	文件：480.47 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：480.47 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1815-O_13	文件：480.47 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor 文件：480.47 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
2SC1815-O	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch	Central	Central
2SC1815-O	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
2SC1815-O-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.15A TO92	Micro Commercial Co	Micro Commercial Co

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
0.15
PC (W)：
0.4
HFE：
70-140
@IC (mA)：
2.0
@VCE (V)：
6.0
ICBO：
0.1 µA
IEBO：
0.1 µA
VCE(sat) (V)：
0.25
VBE(sat) (V)：
1.0
FT (MHz)：
80
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

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更多2SC1815-O供应商更新时间2025-11-30 14:08:00

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