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2SC1760	文件：375.11 Kbytes Page：2 Pages	2SC1728 2SC1728/2SC1760Transistors	SonySONY 索尼	Sony
2SC1763	文件：60.84 Kbytes Page：2 Pages	2~30MHz SSB LINEAR PWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES Specified28v,28MHzCharacteristics -OutputPower:Po=40WPEP -MinimumGain:Gpe=16dB -Efficiency:=40(Min.) -IntermodulationDistortion:IMD=-30dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1764	文件：63.89 Kbytes Page：2 Pages	2~30MHz SSB LINEAR PWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES Specified28v,28MHzCharacteristics -OutputPower:Po=80WPEP -MinimumGain:Gpe=14.5dB -Efficiency:=40(Min.) -IntermodulationDistortion:IMD=-30dB(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1765	文件：56.35 Kbytes Page：2 Pages	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES -OutputPower:Po=2.8W(Min.) (f=470MHz,VCC=12.6V,PI=0.6W) -100TestedforLoadMismatchStressatAllPhase Angleswith30:1VSWR@VCC=12.6V,Pi=0.6W,f=470MHz	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC1766	文件：378.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS ●PowerAmplifier	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC1766	文件：1.57147 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS ●PowerAmplifier	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SC1766	文件：171.37 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •Smallflatpackage. •LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V •Highspeedswitchingtime •PC=1.0to2.0W	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
2SC1766	文件：160.73 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Transistor FEATURES ●Smallflatpackage. ●LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V ●Highspeedswitchingtime ●PC=1.0to2.0W ●Highsaturationcurrentcapability APPLICATIONS ●Poweramplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC1766	文件：815.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS ●PowerAmplifier	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SC1766	文件：362.22 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Pb-Freepackageisavailable PoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●SmallFlatPackage ●HighSpeedSwitchingTime ●LowCollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS ●PowerAmplifier	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
2SC1766PT	文件：139.5 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE50VoltsCURRENT2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.5V(max.)(I=-1A) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0uSec(typ.) PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Power	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO

晶体管资料

型号：
2SC1763
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
30MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
3DA8B,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
65
htest：
30000000
atest：
7
wtest：
40

详细参数

型号：
2SC176
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 7A I(C) | SOT-121VAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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