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2SC1966	文件：133.97 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1966 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on UHF band mobile radio applications. 文件：133.97 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1967	文件：209.5 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1967 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on UHF band mobile radio applications. 文件：209.5 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1968	文件：129.6 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1968 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on UHF band mobile radio applications. 文件：129.6 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1969	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) C1969, 2SC1969 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on HF band mobile radio applications. 文件：145.11 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1969	文件：219.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Power Gain-: Gpe≥12dB,f= 27MHz, PO= 16W ·High Reliability APPLICATIONS ·Designed for 10~14 watts output power class AB amplifiers applications in HF band. 文件：219.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC1969	文件：129.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：129.69 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC1969	文件：310.54 Kbytes Page：3 Pages	10 to 14 watts output power class AB ampliflers applications in HF band. 文件：310.54 Kbytes 页数：3 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
2SC1967	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1968	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC1968A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

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