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2SC1940	文件：169.97 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC1940isdesignedforusedriverstagesofaudiofrequencyamplifiers.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC1940	文件：305.82 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC1940isdesignedforusedriverstagesofaudiofrequencyamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1941	文件：168.67 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The2SC1941isdesignedforusedriverstagesofaudiofrequencyamplifiers.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SC1942	文件：39.1 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED HIGHVOLTAGEPOWERSWITCHINGTVHORIZONTALDEFLECTIONOUTPUT	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SC1942	文件：107.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Highspeedswitching APPLICATIONS •ForTVhorizontaloutputapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC1942	文件：149.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Highspeedswitching APPLICATIONS •ForTVhorizontaloutputapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SC1942	文件：128.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3package •Highbreakdownvoltage •Highspeedswitching APPLICATIONS •ForTVhorizontaloutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SC1942	文件：121.99 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage-VCEx=1500V(Min.) •CollectorCurrent-lc=3.0A APPLICATIONS •Designedforuseinlargescreencolordeflectioncircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1944	文件：54.26 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) DESCRIPTION 2SC1944isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonHFbandmobileradioapplications. APPLICATIONS 10to14WoutputpowerclassABamplifiersinHFband.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC1945	文件：132.77 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications)? 2SC1945isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC1946	文件：130.5 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)? DESCRIPTION 2SC1946isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. APPLICATION 25wattsoutputpoweramplifiersapplicationsinVHFband.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC1946	文件：240.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1946isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. APPLICATION 25wattsoutputpoweramplifiersapplicationsinVHFband.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1946A	文件：135.17 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)? DESCRIPTION 2SC1946AisasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. APPLICATION 25wattsoutputpoweramplifiersinVHFbandmobileradioapplications.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC1946A	文件：252.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE DESCRIPTION 2SC1946AisasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. APPLICATION 25wattsoutputpoweramplifiersinVHFbandmobileradioapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1946A	文件：35.12 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The2SC1946AisDesignedfor12.5V175MHzLarge-SignalPowerAmplifierApplications. FEATURESINCLUDE: •HighCommonEmitterPowerGain •OutputPower=30W	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
2SC1947	文件：126.18 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)? DESCRIPTION 2SC1947isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesignedforindustrialuseRFpoweramplifiersonVHFbandmobileradioapplications. FEATURES ●Highpowergain:Gpe≥10.7dB @VCC=13.5V,PO=3.5W,f=175MHz ●TO-39metalseeledpackageforhighreliability. ●Em	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
2SC1947	文件：88.92 Kbytes Page：1 Pages	HIGH POWER TRANSISTOR SILICON NPN HIGHPOWERTRANSISTORSILICONNPN	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1940_13	文件：123.96 Kbytes Page：2 Pages	The 2SC1940 is designed for use in driver stages of audio frequency amplifiers	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC1942	文件：109.47 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SC1942_15	文件：149.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司	JMNIC

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详细参数

型号：
2SC194
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	2SC1940	HITACHI	08PB		60000		询价
深圳市创芯联盈电子有限公司	2SC1940	NEC	500	TO-92	37	1914+	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2SC1940		22+		20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	2SC1940	NEC	21+	TO-92	489	原装现货假一赔十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	2SC1940	NEC	22+	TO-92	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SC1940	NEC	21+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SC1940	NEC	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市环球伟业电子有限公司	2SC1940	NEC/Renesas Electronics Americ	21+	TO-92	489	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SC1940		2021+		4000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	2SC1940	NEC	22+	TO-92	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价

更多2SC194供应商更新时间2024-4-30 16:30:00

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