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2SC1651S	文件：67.34 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTOR High-voltage Amplifier Transistor (−210V, −30mA) Features 1) High breakdown voltage, (VCER= −210V ) 2) Complements the 2SC1651S. 文件：67.34 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC1652	文件：311.52 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Amp. Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：311.52 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC1653	文件：163.33 Kbytes Page：4 Pages	DISPLAY TUBE DRIVE ,HIGH VOLTAGE SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES ● High Voltage VCEO : 2SC1653 130 V, 2SC1654 160 V ● High DC Current Gain: hFE = 130 TYP. (VCE = 3.0 V, IC = 15 mA) 文件：163.33 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC1653	文件：169.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain.hFE=130 typ.(VCE=3.0V,IC=15mA) ● High voltage VCEO : 130V 文件：169.84 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1654	文件：169.69 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● High DC current gain.hFE=130 typ.(VCE=3.0V,IC=15mA) ● High voltage VCEO : 160V 文件：169.69 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC1654	文件：439.32 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistor FEATURE ● High Frequency Power Amplifier Application ● Power Switching Applications 文件：439.32 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SC1654	文件：458.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ● High Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：458.42 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC1654	文件：846.04 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Frequency Power Amplifier Application ● Power Swithing Applications 文件：846.04 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC1654	文件：1.62795 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Frequency Power Amplifier Application Power Swithing Applications 文件：1.62795 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SC1654	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip Product Overview HM4002 is a low-power pyroelectric infrared sensor signal processing chip, which can be matched with infrared sensor unit Simple load sensing ON/OFF and delay timing function control; at the same time, the chip built-in high-precision stable LDO 2.6V output can provide Red power 文件：921.63 Kbytes 页数：9 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

晶体管资料

型号：
2SC1654
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）_数码驱动（Nix）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF822,BFN24,2SC3143,2SC3360,3DG170D,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
180
htest：
120000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
160
IC @25 °C (A)：
0.05
VCE (sat) (V)：
0.3
hFE：
90-400
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.12
Cob (Typical) (pF)：
2.3

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更多2SC165供应商更新时间2026-3-10 14:00:00

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