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2SC1623	文件：194.51 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Lead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC1623	文件：60.97 Kbytes Page：6 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORMINIMOLD FEATURES •HighDCCurrentGain:hFE=200TYP. (VCE=6.0V,IC=1.0mA) •HighVoltage:VCEO=50V	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC1623	文件：136.53 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:100mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SC1623	文件：107.26 Kbytes Page：2 Pages	HighDCcurrentgainhFE200(Typ)VCE6V,IC1mA FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
2SC1623	文件：190.94 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA Highvoltage:VCEO=50V	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SC1623	文件：2.39104 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) Features ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
2SC1623	文件：842.8 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200(Typ)VCE=6V,IC=1mA ●Highvoltage:VCEO=50V	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SC1623	文件：1.0753 Mbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighDCcurrentgain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA). ●HighVoltage:VCEO=50V. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor. ●Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SC1623	文件：120.29 Kbytes Page：2 Pages	AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERNPNSILICONTRANSISTORMINIMOLD DESCRIPTION TheUTC2SC1623isaNPNsilicontransistorusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighDCcurrentgainandhighbreakdownvoltage.TheUTC2SC1623isusuallyusedinaudiofrequencygeneralpurposeamplifier. FEATURES HighbreakdownVoltage HighDCCurrentGai	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC1623	文件：380.83 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPEpitaxialTypeTransistor	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

详细参数

型号：
2SC1623W
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	2SC1623W	KEFAN/科范微	23+	SOT-323	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	2SC1623W	BILIN	2023+	原厂原包	8700	原装现货	询价
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深圳市源泽芯电子有限公司	2SC1623单片机MCU	RENESAS/瑞萨	18+	SMD	1000	进口原装现货假一赔万力挺实单	询价
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更多2SC1623W供应商更新时间2025-7-25 17:55:00

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